PSMN010-55D,118

MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
PSMN010-55D,118 P1
PSMN010-55D,118 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

NXP USA Inc. ~ PSMN010-55D,118

Número de pieza
PSMN010-55D,118
Fabricante
NXP USA Inc.
Descripción
MOSFET N-CH 55V 75A DPAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- PSMN010-55D,118 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza PSMN010-55D,118
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 75A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 20V
Vgs (Max) ±15V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor DPAK
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Productos relacionados

Todos los productos