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| Número de pieza | PSMN5R0-100ES,127 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 170nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9900pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 338W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 25A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | I2PAK |
| Paquete / caja | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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PSMN5R0-100ES,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK | 4316 | Detalles | |
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PSMN5R0-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB | 3848 | Detalles | |
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PSMN5R0-100XS,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 67.5A TO-220F | - | 0 | Detalles |
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PSMN5R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 91A LFPAK | 6000 | Detalles | |
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PSMN5R0-80BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK | 4000 | Detalles | |
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PSMN5R0-80PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB | 0 | Detalles | |
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PSMN5R2-60YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V LFPAK56 | 1500 | Detalles | |
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PSMN5R3-25MLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | 0 | Detalles | |
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PSMN5R4-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN5R4-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | 0 | Detalles | |
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PSMN5R5-60YS,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK | 4500 | Detalles | |
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PSMN5R6-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK | 4000 | Detalles | |
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PSMN5R6-100PS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 100A TO220AB | 0 | Detalles |