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Nexperia USA Inc. ~ PSMN025-100D,118

Número de pieza	PSMN025-100D,118
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	47A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	61nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25 mOhm @ 25A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	DPAK
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
PSMN020-100YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 43A LFPAK		21000	Detalles
PSMN020-150W,127	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 150V 73A SOT429		0	Detalles
PSMN020-30MLCX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 31.8A LFPAK33		1500	Detalles
PSMN021-100YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V LFPAK56		0	Detalles
PSMN022-30BL,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 30A D2PAK		4800	Detalles
PSMN022-30PL,127	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V TO220AB		6473	Detalles
PSMN023-40YLCX	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 24A LFPAK	-	0	Detalles
PSMN023-80LS,115	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 34A QFN3333	-	0	Detalles
PSMN025-100D,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 47A DPAK		7500	Detalles
PSMN025-80YLX	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 60V LFPAK56		0	Detalles
PSMN026-80YS,115	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 80V 34A LFPAK		31500	Detalles
PSMN027-100BS,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 100V 37A D2PAK		800	Detalles