PQMB11Z

TRANS PNP/PNP RET 6DFN
PQMB11Z P1
PQMB11Z P1
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Nexperia USA Inc. ~ PQMB11Z

Número de pieza
PQMB11Z
Fabricante
Nexperia USA Inc.
Descripción
TRANS PNP/PNP RET 6DFN
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Número de pieza PQMB11Z
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 2 PNP Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 10k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 10k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Corriente - corte de colector (máximo) 1µA
Frecuencia - Transición 180MHz
Potencia - Max 230mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 6-XFDFN Exposed Pad
Paquete de dispositivo del proveedor DFN1010B-6

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