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| Número de pieza | PMV50UPE,215 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.2A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15.7nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 24pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66 mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-236AB (SOT23) |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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PMV50ENEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V TO-236AB | 0 | Detalles | |
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PMV50EPEAR | Nexperia USA Inc. | PMV50EPEA/TO-236AB/REEL 7" Q3/ | 0 | Detalles | |
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PMV50UPE,215 | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.2A TO-236AB | 0 | Detalles | |
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PMV50UPEVL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V 3.7A TO236AB | - | 492780 | Detalles |
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PMV50XPR | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 20V SOT23 | 6000 | Detalles | |
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PMV55ENEAR | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V TO-236AB | 0 | Detalles | |
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PMV56XN,215 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 20V 3.76A SOT23 | - | 0 | Detalles |