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| Número de pieza | APTML102UM09R004T3AG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Característica FET | Standard |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 154A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 69.5A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2.5mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9875pF @ 25V |
| Potencia - Max | 480W |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SP3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APTML1002U60R020T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 20A SP3 | - | 0 | Detalles |
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APTML100U60R020T1AG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 20A SP1 | - | 12 | Detalles |
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APTML102UM09R004T3AG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 100V 154A SP3 | - | 0 | Detalles |
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APTML10UM09R004T1AG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 100V 154A SP1 | - | 0 | Detalles |