APTM50TDUM65PG

MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
APTM50TDUM65PG P1
APTM50TDUM65PG P1
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Microsemi Corporation ~ APTM50TDUM65PG

Número de pieza
APTM50TDUM65PG
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOSFET 6N-CH 500V 51A SP6-P
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
APTM50TDUM65PG.pdf APTM50TDUM65PG PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza APTM50TDUM65PG
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 51A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78 mOhm @ 25.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 140nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V
Potencia - Max 390W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP6
Paquete de dispositivo del proveedor SP6-P

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