APTM50H15FT1G

MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
APTM50H15FT1G P1
APTM50H15FT1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTM50H15FT1G

Número de pieza
APTM50H15FT1G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOSFET 4N-CH 500V 25A SP1
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
APTM50H15FT1G.pdf APTM50H15FT1G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza APTM50H15FT1G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 4 N-Channel (H-Bridge)
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 170nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 5448pF @ 25V
Potencia - Max 208W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP1
Paquete de dispositivo del proveedor SP1

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