APTM20DHM10G

MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
APTM20DHM10G P1
APTM20DHM10G P1
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Microsemi Corporation ~ APTM20DHM10G

Número de pieza
APTM20DHM10G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
MOSFET 2N-CH 200V 175A SP6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
APTM20DHM10G.pdf APTM20DHM10G PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza APTM20DHM10G
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Característica FET Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 175A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12 mOhm @ 87.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 224nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 13700pF @ 25V
Potencia - Max 694W
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja SP6
Paquete de dispositivo del proveedor SP6

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