APTGLQ200H65G

POWER MODULE - IGBT
APTGLQ200H65G P1
APTGLQ200H65G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGLQ200H65G

Número de pieza
APTGLQ200H65G
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
POWER MODULE - IGBT
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- APTGLQ200H65G PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza APTGLQ200H65G
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Full Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 650V
Current - Collector (Ic) (Max) 270A
Potencia - Max 680W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 200A
Corriente - corte de colector (máximo) 75µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 12.2nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor SP6

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