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| Número de pieza | APTDC902U601G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Configuración de Diodo | 2 Independent |
| Tipo de diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 90A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 90A |
| Velocidad | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 0ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1800µA @ 600V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SP1 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SP1 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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APTDC10H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 10A 600V SP1 | 0 | Detalles | |
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APTDC20H1201G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 1200V SP1 | - | 0 | Detalles |
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APTDC20H601G | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 20A 600V SP1 | - | 0 | Detalles |
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APTDC40H1201G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 1200V 40A SP1 | - | 0 | Detalles |
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APTDC40H601G | Microsemi Corporation | POWER MODULE DIODE 600V 40A SP1 | - | 0 | Detalles |
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APTDC902U601G | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 600V 90A SP1 | - | 0 | Detalles |