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| Número de pieza | APT40DQ100BG |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 40A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 3V @ 40A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 250ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 100µA @ 1000V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-247-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-247 [B] |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -55°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | Detalles | |
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APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | 0 | Detalles | |
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APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | - | 0 | Detalles |
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APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | - | 0 | Detalles |
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APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | - | 5 | Detalles |
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APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | - | 0 | Detalles |
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APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | 0 | Detalles | |
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APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | - | 2905 | Detalles |
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APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | 0 | Detalles | |
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APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | - | 355 | Detalles |
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APT40DQ60BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 600V 40A TO247 | - | 255 | Detalles |
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APT40DQ60BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 40A TO247 | - | 2581 | Detalles |