1N6622US

DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
1N6622US P1
1N6622US P1
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Microsemi Corporation ~ 1N6622US

Número de pieza
1N6622US
Fabricante
Microsemi Corporation
Descripción
DIODE GEN PURP 660V 1.2A A-MELF
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza 1N6622US
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 660V
Corriente - promedio rectificado (Io) 1.2A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 1.4V @ 1.2A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 30ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 500nA @ 660V
Capacitancia @ Vr, F 10pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SQ-MELF, A
Paquete de dispositivo del proveedor A-MELF
Temperatura de funcionamiento - unión -65°C ~ 150°C

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