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| Número de pieza | 1N645-1/TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 225V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 400mA |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1V @ 400mA |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50nA @ 225V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | DO-213AA |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DO-213AA |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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1N645-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO35 | - | 824 | Detalles |
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1N645-1/TR | Microsemi Corporation | SWITCHING | - | 26994 | Detalles |
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1N645-1E3 | Microsemi Corporation | SWITCHING DIODE | - | 47042 | Detalles |
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1N645UR-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 225V 400MA DO213 | - | 0 | Detalles |
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1N646 | Microsemi Corporation | SILICON SWITCHING DIODES | - | 44802 | Detalles |
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1N646-1 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 300V 400MA DO35 | - | 0 | Detalles |
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1N6461 | Semtech Corporation | T DAP UNI 500W 5V | - | 0 | Detalles |
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1N6461US | Semtech Corporation | 500 W UNIPOLAR TVS | - | 0 | Detalles |
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1N6461US/TR | Microsemi Corporation | TVS DIODE 5V 9V B SQ-MELF | - | 22939 | Detalles |
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1N6462 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 6VWM 11VC BPKG AXIAL | - | 0 | Detalles |
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1N6462US | Semtech Corporation | T DAP UNI 500W 6V | - | 0 | Detalles |
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1N6463 | Microsemi Corporation | TVS DIODE 12VWM 22.6VC BPKG AXL | - | 0 | Detalles |