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| Número de pieza | 1N5811US/TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 3A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 875mV @ 4A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 30ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5µA @ 150V |
| Capacitancia @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | SQ-MELF, B |
| Paquete de dispositivo del proveedor | B, SQ-MELF |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -65°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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1N5802 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A AXIAL | - | 262 | Detalles |
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1N5802US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 50V 1A D5A | - | 181 | Detalles |
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1N5803 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 75V 1A AXIAL | - | 0 | Detalles |
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1N5804 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A AXIAL | - | 478 | Detalles |
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1N5804US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 1A D5A | - | 104 | Detalles |
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1N5805 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 125V 1A AXIAL | - | 0 | Detalles |
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1N5806 | Semtech Corporation | D MET 2.5A SFST 150V | - | 0 | Detalles |
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1N5806/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | Detalles |
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1N5806C.TR | Semtech Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | Detalles |
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1N5806E3/TR | Microsemi Corporation | UFRFRR | - | 12 | Detalles |
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1N5806TR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 2.5A AXIAL | - | 0 | Detalles |
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1N5806US | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 150V 1A D5A | - | 229 | Detalles |