NAND04GW3B2DN6E

IC FLASH 4GBIT 48TSOP
NAND04GW3B2DN6E P1
NAND04GW3B2DN6E P1
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Micron Technology Inc. ~ NAND04GW3B2DN6E

Número de pieza
NAND04GW3B2DN6E
Fabricante
Micron Technology Inc.
Descripción
IC FLASH 4GBIT 48TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
NAND04GW3B2DN6E.pdf NAND04GW3B2DN6E PDF online browsing
Familia
Memoria
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Número de pieza NAND04GW3B2DN6E
Estado de la pieza Discontinued at Digi-Key
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NAND
Tamaño de la memoria 4Gb (512M x 8)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 25ns
Tiempo de acceso 25ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 48-TSOP

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