MIEB101H1200EH

IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
MIEB101H1200EH P1
MIEB101H1200EH P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

IXYS ~ MIEB101H1200EH

Número de pieza
MIEB101H1200EH
Fabricante
IXYS
Descripción
IGBT MODULE 1200V 183A QUAD
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- MIEB101H1200EH PDF online browsing
Familia
Transistores - IGBT - Módulos
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza MIEB101H1200EH
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT -
Configuración Full Bridge Inverter
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 183A
Potencia - Max 630W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 100A
Corriente - corte de colector (máximo) 300µA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 7.43nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja E3
Paquete de dispositivo del proveedor E3

Productos relacionados

Todos los productos