IXTP3N50D2

MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
IXTP3N50D2 P1
IXTP3N50D2 P1
Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.

IXYS ~ IXTP3N50D2

Número de pieza
IXTP3N50D2
Fabricante
IXYS
Descripción
MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IXTP3N50D2 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
  • En stock $ Cantidad pcs
  • Precio de referencia : submit a request

Enviar una solicitud de cotización en cantidades mayores que las mostradas.

Parámetro del producto

Todos los productos

Número de pieza IXTP3N50D2
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 500V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1070pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET Depletion Mode
Disipación de potencia (Máx) 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.5A, 0V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220AB
Paquete / caja TO-220-3

Productos relacionados

Todos los productos