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| Número de pieza | IXFK55N50 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 500V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 55A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 330nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 625W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 27.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-264AA (IXFK) |
| Paquete / caja | TO-264-3, TO-264AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IXF611P1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8DIP | - | 0 | Detalles |
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IXF611S1 | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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IXF611S1T/R | IXYS | IC DRIVER MOSF/IGBT HALF 8-SOIC | - | 0 | Detalles |
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IXFA102N15T | IXYS | MOSFET N-CH 150V 102A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IXFA10N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 10A D2-PAK | - | 142 | Detalles |
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IXFA10N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 10A TO-263 | - | 0 | Detalles |
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IXFA110N15T2 | IXYS | MOSFET N-CH 150V 110A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IXFA12N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 12A D2-PAK | 0 | Detalles | |
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IXFA12N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 27614 | Detalles |
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IXFA130N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IXFA130N10T2 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 130A TO-263AA | - | 0 | Detalles |
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IXFA130N15X3 | IXYS | MOSFET N-CH | - | 12123 | Detalles |