70V657S10DR

IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP
70V657S10DR P1
70V657S10DR P1
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IDT, Integrated Device Technology Inc ~ 70V657S10DR

Número de pieza
70V657S10DR
Fabricante
IDT, Integrated Device Technology Inc
Descripción
IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208QFP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
70V657S10DR.pdf 70V657S10DR PDF online browsing
Familia
Memoria
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Número de pieza 70V657S10DR
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria SRAM
Tecnología SRAM - Dual Port, Asynchronous
Tamaño de la memoria 1.125Mb (32K x 36)
Frecuencia de reloj -
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 10ns
Tiempo de acceso 10ns
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 3.15 V ~ 3.45 V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 208-BFQFP
Paquete de dispositivo del proveedor 208-PQFP (28x28)

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