IRLR8103

MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
IRLR8103 P1
IRLR8103 P1
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Infineon Technologies ~ IRLR8103

Número de pieza
IRLR8103
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 30V 89A D-PAK
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IRLR8103
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 89A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 89W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7 mOhm @ 15A, 10V
Temperatura de funcionamiento -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor D-Pak
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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