IRLMS1902TR

MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
IRLMS1902TR P1
IRLMS1902TR P1
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Infineon Technologies ~ IRLMS1902TR

Número de pieza
IRLMS1902TR
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 20V 3.2A 6-TSOP
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IRLMS1902TR
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.7V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
Vgs (Max) ±12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.7W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor Micro6™(TSOP-6)
Paquete / caja SOT-23-6

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