IRG7CH30K10EF

IGBT CHIP WAFER
IRG7CH30K10EF P1
IRG7CH30K10EF P1
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Infineon Technologies ~ IRG7CH30K10EF

Número de pieza
IRG7CH30K10EF
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IGBT CHIP WAFER
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Simple
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Número de pieza IRG7CH30K10EF
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Corriente - colector pulsado (Icm) -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.56V @ 15V, 10A
Potencia - Max -
Conmutación de energía -
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 4.8nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 10ns/90ns
Condición de prueba 600V, 10A, 22 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) -
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja Die
Paquete de dispositivo del proveedor Die

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