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| Número de pieza | IRFH5020TR2PBF |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 200V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.1A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 150µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2290pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 7.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PQFN (5x6) Single Die |
| Paquete / caja | 8-VQFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFH5004TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5004TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5007TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5007TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 17A 5X6 PQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5010TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 5X6 PQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5010TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 8-PQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5015TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5015TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 10A 8VQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5020TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | Detalles | |
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IRFH5020TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN | 0 | Detalles |