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Infineon Technologies ~ IRF8714PBF

Número de pieza	IRF8714PBF
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	14A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1020pF @ 15V
Vgs (Max)	±20V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.7 mOhm @ 14A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	8-SO
Paquete / caja	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	Ver
IRF8010PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 80A TO-220AB		Detalles
IRF8010SPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK		Detalles
IRF8010STRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK		Detalles
IRF8010STRRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK		Detalles
IRF8113	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC		Detalles
IRF8113GPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SO		Detalles
IRF8113GTRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC		Detalles
IRF8113PBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC		Detalles
IRF8113TR	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC		Detalles
IRF8113TRPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC		Detalles
IRF820	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 500V 4A TO-220	-	Detalles
IRF820A	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220AB	-	Detalles