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| Número de pieza | IRF100B202 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 100V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 97A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 150µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 116nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4476pF @ 50V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 221W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 58A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220AB |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IRF100B201 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 192A TO-220AB | 1656 | Detalles | |
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IRF100B202 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB | 2695 | Detalles | |
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IRF100P218XKMA1 | Infineon Technologies | TRENCHMOSFETS | - | 7158 | Detalles |
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IRF100P219XKMA1 | Infineon Technologies | TRENCHMOSFETS | - | 8151 | Detalles |
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IRF100S201 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 192A D2PAK | 800 | Detalles | |
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IRF1010EL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRF1010EPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A TO-220AB | 1008 | Detalles | |
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IRF1010ESTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK | - | 22400 | Detalles |
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IRF1010ESTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 84A D2PAK | 0 | Detalles | |
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IRF1010EZ | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-220AB | 0 | Detalles | |
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IRF1010EZL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 | 0 | Detalles | |
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IRF1010EZLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 75A TO-262 | 0 | Detalles |