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| Número de pieza | IPP65R110CFDXKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 700V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31.2A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.3mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3240pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 277.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO-220-3 |
| Paquete / caja | TO-220-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO-220-3 | - | 729 | Detalles |
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IPP65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 0 | Detalles | |
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IPP65R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 57.7A TO220 | - | 181 | Detalles |
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IPP65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 0 | Detalles | |
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IPP65R099C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 38A TO220 | - | 243 | Detalles |
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IPP65R110CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 0 | Detalles | |
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IPP65R110CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 700V 31.2A TO220 | - | 9 | Detalles |
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IPP65R110CFDXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 6011 | Detalles |
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IPP65R125C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | 514 | Detalles | |
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IPP65R150CFDAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-220-3 | 0 | Detalles | |
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IPP65R150CFDXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220 | 2455 | Detalles | |
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IPP65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | HIGH POWERLEGACY | - | 6011 | Detalles |