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Infineon Technologies ~ IPD90P04P4L04ATMA1

Número de pieza: IPD90P04P4L04ATMA1
Fabricante: Infineon Technologies
Descripción: MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3
Estado sin plomo / Estado RoHS: Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos: IPD90P04P4L04ATMA1.pdf IPD90P04P4L04ATMA1 PDF online browsing
Familia: Transistores - FET, MOSFET - Simple

Número de pieza	IPD90P04P4L04ATMA1
Estado de la pieza	Active
Tipo de FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	40V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	90A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	176nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11570pF @ 25V
Vgs (Max)	±16V
Característica FET	-
Disipación de potencia (Máx)	125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3 mOhm @ 90A, 10V
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor	PG-TO252-3-313
Paquete / caja	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
IPD90P03P404ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3	-	72500	Detalles
IPD90P03P4L04ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 30V 90A TO252-3	-	2500	Detalles
IPD90P04P405ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3		0	Detalles
IPD90P04P405AUMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3	-	0	Detalles
IPD90P04P4L04ATMA1	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3		7500	Detalles