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| Número de pieza | IPB60R099CPATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 31A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 99 mOhm @ 18A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 1.2mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 100V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 255W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IPB60R040C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Detalles | |
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IPB60R060C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Detalles | |
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IPB60R060P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 17734 | Detalles |
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IPB60R080P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 22187 | Detalles |
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IPB60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | - | 0 | Detalles |
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IPB60R099C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263 | - | 19308 | Detalles |
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IPB60R099C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Detalles | |
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IPB60R099CP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | - | 3000 | Detalles |
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IPB60R099CPAATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3 | - | 0 | Detalles |
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IPB60R099CPATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A D2PAK | - | 15017 | Detalles |
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IPB60R099P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO263-3 | - | 25850 | Detalles |
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IPB60R120C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO263-3 | 0 | Detalles |