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| Número de pieza | IPB035N08N3 G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 80V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 155µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 117nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8110pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 214W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 100A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-2 |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IPB030N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | - | 11000 | Detalles |
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IPB030N08N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7 | - | 34620 | Detalles |
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IPB031N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V TO263-3 | 1000 | Detalles | |
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IPB031NE7N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 | - | 0 | Detalles |
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IPB032N10N5ATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 0 | Detalles |
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IPB033N10N5LFATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V D2PAK-3 | 0 | Detalles | |
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IPB034N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | 0 | Detalles | |
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IPB034N03LGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-263-3 | - | 82090 | Detalles |
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IPB034N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | - | 2000 | Detalles |
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IPB034N06L3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | - | 80568 | Detalles |
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IPB034N06N3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7 | 0 | Detalles | |
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IPB035N08N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO263-3 | - | 0 | Detalles |