IKD06N60RAATMA1

IGBT 600V 12A 100W TO252
IKD06N60RAATMA1 P1
IKD06N60RAATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IKD06N60RAATMA1

Número de pieza
IKD06N60RAATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IGBT 600V 12A 100W TO252
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Simple
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Número de pieza IKD06N60RAATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 12A
Corriente - colector pulsado (Icm) 18A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 6A
Potencia - Max 100W
Conmutación de energía 110µJ (on), 220µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Cargo de puerta 48nC
Td (encendido / apagado) a 25 ° C 12ns/127ns
Condición de prueba 400V, 6A, 23 Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr) 68ns
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO252-3

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