FF200R12KT4HOSA1

IGBT MODULE 1200V 200A
FF200R12KT4HOSA1 P1
FF200R12KT4HOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ FF200R12KT4HOSA1

Número de pieza
FF200R12KT4HOSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
IGBT MODULE 1200V 200A
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - IGBT - Módulos
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Número de pieza FF200R12KT4HOSA1
Estado de la pieza Active
Tipo de IGBT Trench Field Stop
Configuración Half Bridge
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 320A
Potencia - Max 1100W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 200A
Corriente - corte de colector (máximo) 5mA
Capacitancia de entrada (Cies) @ Vce 14nF @ 25V
Entrada Standard
Termistor NTC No
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Chassis Mount
Paquete / caja Module
Paquete de dispositivo del proveedor Module

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