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| Número de pieza | DD750S65K3NOSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 2 Independent |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 6500V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | - |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 3.5V @ 750A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 1100A @ 3600V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -50°C ~ 125°C |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Module |
| Paquete de dispositivo del proveedor | A-IHV130-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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DD750S65K3NOSA1 | Infineon Technologies | IGBT MODULE VCES 6500V 750A | - | 28 | Detalles |