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| Número de pieza | D850N32TXPSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 3200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 850A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.28V @ 850A |
| Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50mA @ 3200V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | DO-200AB, B-PUK |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 160°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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D850N28TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 2.8KV 850A | - | 476 | Detalles |
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D850N30TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 3KV 850A | - | 458 | Detalles |
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D850N32TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 3.2KV 850A | - | 461 | Detalles |
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D850N34TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 3.4KV 850A | - | 445 | Detalles |
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D850N36TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 3.6KV 850A | - | 430 | Detalles |
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D850N40TXPSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 4KV 850A | - | 403 | Detalles |