BSZ0910NDXTMA1

DIFFERENTIATED MOSFETS
BSZ0910NDXTMA1 P1
BSZ0910NDXTMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSZ0910NDXTMA1

Número de pieza
BSZ0910NDXTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
DIFFERENTIATED MOSFETS
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza BSZ0910NDXTMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de FET 2 N-Channel (Dual)
Característica FET Logic Level Gate, 4.5V Drive
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 15V
Potencia - Max 1.9W (Ta), 31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-PowerVDFN
Paquete de dispositivo del proveedor PG-WISON-8

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