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| Número de pieza | BSR202N L6327 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 3.8A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 30µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1147pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 500mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SC-59 |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BSR202N L6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 | - | 21000 | Detalles |
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BSR202NL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 | - | 384360 | Detalles |