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| Número de pieza | BSP125 E6327 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 120mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 94µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.8W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45 Ohm @ 120mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT223-4 |
| Paquete / caja | TO-261-4, TO-261AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSP100,135 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP110,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP122,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 0.55A SOT223 | 1000 | Detalles | |
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BSP123E6327T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP123L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223 | - | 0 | Detalles |
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BSP125 E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Detalles |
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BSP125 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Detalles |
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BSP125H6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | 1000 | Detalles | |
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BSP125H6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223 | 0 | Detalles | |
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BSP125L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Detalles |
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BSP125L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223 | - | 0 | Detalles |
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BSP126,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 250V 375MA SOT223 | 5000 | Detalles |