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| Número de pieza | BSC011N03LSTATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 39A (Ta), 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.1 mOhm @ 30A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 6300pF @ 15V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 3W (Ta), 115W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TDSON-8 FL |
| Paquete / caja | 8-PowerTDFN |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BSC011N03LS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | - | 25000 | Detalles |
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BSC011N03LSATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON | - | 83879 | Detalles |
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BSC011N03LSI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 | - | 0 | Detalles |
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BSC011N03LSIATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 37A TDSON-8 | - | 70703 | Detalles |
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BSC011N03LSTATMA1 | Infineon Technologies | DIFFERENTIATED MOSFETS | - | 56198 | Detalles |