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| Número de pieza | BSB015N04NX3 G |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 36A (Ta), 180A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 142nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 12000pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 mOhm @ 30A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Paquete / caja | 3-WDSON |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSB012N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 180A 2WDSON | 0 | Detalles | |
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BSB012NE2LX | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON-2 | 0 | Detalles | |
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BSB012NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 170A WDSON | - | 0 | Detalles |
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BSB013NE2LXI | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | - | 0 | Detalles |
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BSB013NE2LXIXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2 | - | 76760 | Detalles |
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BSB014N04LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 5000 | Detalles |
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BSB014N04LX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 66990 | Detalles |
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BSB015N04NX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 5000 | Detalles |
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BSB015N04NX3GXUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 180A 2WDSON | - | 43071 | Detalles |
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BSB017N03LX3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 147A 2WDSON | 0 | Detalles | |
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BSB019N03LX G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 174A 2WDSON | 0 | Detalles |