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| Número de pieza | BCR169E6327HTSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Last Time Buy |
| Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Resistencia - Base (R1) (Ohmios) | 4.7k |
| Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) | - |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 5mA, 5V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 100nA (ICBO) |
| Frecuencia - Transición | 200MHz |
| Potencia - Max | 200mW |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-SOT23-3 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BCR169E6327HTSA1 | Infineon Technologies | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
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BCR169SE6327BTSA1 | Infineon Technologies | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 | - | 0 | Detalles |
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BCR169WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 | - | 0 | Detalles |