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| Número de pieza | HTNFET-D |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 55V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | - |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 100µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 290pF @ 28V |
| Vgs (Max) | 10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 50W (Tj) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 225°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-CDIP-EP |
| Paquete / caja | 8-CDIP Exposed Pad |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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HTNFET-D | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | - | 0 | Detalles |
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HTNFET-DC | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 8-DIP | - | 0 | Detalles |
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HTNFET-T | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | - | 3 | Detalles |
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HTNFET-TC | Honeywell Microelectronics & Precision Sensors | MOSFET N-CH 55V 4-PIN | - | 0 | Detalles |