GD25S512MDBIGY

NOR FLASH
GD25S512MDBIGY P1
GD25S512MDBIGY P1
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GigaDevice Semiconductor (HK) Limited ~ GD25S512MDBIGY

Número de pieza
GD25S512MDBIGY
Fabricante
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
Descripción
NOR FLASH
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Memoria
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Número de pieza GD25S512MDBIGY
Estado de la pieza Active
Tipo de memoria Non-Volatile
Formato de memoria FLASH
Tecnología FLASH - NOR
Tamaño de la memoria 512Mb (64M x 8)
Frecuencia de reloj 104MHz
Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página 50µs, 2.4ms
Tiempo de acceso -
interfaz de memoria SPI - Quad I/O
Suministro de voltaje 2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 24-TBGA
Paquete de dispositivo del proveedor 24-TFBGA (6x8)

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