Las imágenes son sólo para referencia.
Ver especificaciones del producto para detalles del producto.
| Número de pieza | GD25Q32CNIGR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de memoria | Non-Volatile |
| Formato de memoria | FLASH |
| Tecnología | FLASH - NOR |
| Tamaño de la memoria | 32Mb (4M x 8) |
| Frecuencia de reloj | 120MHz |
| Escribir tiempo de ciclo - Palabra, página | 50µs, 2.4ms |
| Tiempo de acceso | - |
| interfaz de memoria | SPI - Quad I/O |
| Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 8-UDFN Exposed Pad |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-USON (4x3) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD25-15P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | 0 | Detalles | |
|
GD25-15P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 15DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | 0 | Detalles | |
|
GD25-19P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | 0 | Detalles | |
|
GD25-19P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 19DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | 0 | Detalles | |
|
GD25-24P-NF | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30" NFEM | 0 | Detalles | |
|
GD25-24P-NM | Laird Technologies IAS | ANT GRID 24DBI 2.5-2.7G 30"NMALE | 0 | Detalles | |
 |
GD25D05CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 275177 | Detalles |
|
GD25D05CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 512KBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45 | - | 212635 | Detalles |
 |
GD25D05CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 313151 | Detalles |
 |
GD25D05CTIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 338670 | Detalles |
|
GD25D10CEIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | NOR FLASH | - | 258991 | Detalles |
|
GD25D10CKIGR | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 1MBIT3.3VSPIUSON8 1.5X1.5X0.45MM | - | 201445 | Detalles |