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| Número de pieza | MURT10010 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Configuración de Diodo | 1 Pair Common Cathode |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 100A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.3V @ 50A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 75ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 25µA @ 50V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | - |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | Three Tower |
| Paquete de dispositivo del proveedor | Three Tower |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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MUR10005CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER | 0 | Detalles | |
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MUR10005CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 50V 100A 2TOWER | 0 | Detalles | |
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MUR10020CT | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER | 0 | Detalles | |
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MUR10020CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 200V 100A 2TOWER | 0 | Detalles | |
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MUR10040CTR | GeneSiC Semiconductor | DIODE MODULE 400V 100A 2TOWER | 0 | Detalles | |
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