GA04JT17-247

TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
GA04JT17-247 P1
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GeneSiC Semiconductor ~ GA04JT17-247

Número de pieza
GA04JT17-247
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descripción
TRANS SJT 1700V 4A TO-247AB
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza GA04JT17-247
Estado de la pieza Active
Tipo de FET -
Tecnología SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 1700V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4A (Tc) (95°C)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 106W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 4A
Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-247AB
Paquete / caja TO-247-3

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