FQP55N06

MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
FQP55N06 P1
FQP55N06 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FQP55N06

Número de pieza
FQP55N06
Fabricante
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 60V 55A TO-220
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza FQP55N06
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 55A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1690pF @ 25V
Vgs (Max) ±25V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 133W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 27.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Through Hole
Paquete de dispositivo del proveedor TO-220-3
Paquete / caja TO-220-3

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