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| Número de pieza | FDS6680A |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 12.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1620pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | 8-SO |
| Paquete / caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDS2070N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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FDS2070N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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FDS2170N3 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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FDS2170N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC | 0 | Detalles | |
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FDS2572 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.9A 8-SOIC | - | 22500 | Detalles |
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FDS2582 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC | - | 10000 | Detalles |
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FDS2670 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3A 8-SO | - | 2500 | Detalles |
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FDS2672 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | - | 5000 | Detalles |
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FDS2672-F085 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | - | 10418 | Detalles |
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FDS2672_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC | - | 52500 | Detalles |
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FDS2734 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 250V 3A 8-SOIC | - | 10000 | Detalles |
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FDS3170N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 6.7A 8-SOIC | 0 | Detalles |