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| Número de pieza | ZXMP6A17E6QTA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 60V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.3A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 17.7nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 637pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125 mOhm @ 2.3A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-26 |
| Paquete / caja | SOT-23-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXMP6A13FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 | - | 9000 | Detalles |
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ZXMP6A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 0.9A SOT23-3 | - | 48000 | Detalles |
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ZXMP6A13GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 | - | 0 | Detalles |
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ZXMP6A13GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223 | - | 24000 | Detalles |
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ZXMP6A16DN8QTA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC | 500 | Detalles | |
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ZXMP6A16DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC | - | 3500 | Detalles |
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ZXMP6A16DN8TC | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC | 17500 | Detalles | |
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ZXMP6A16GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH SOT223 | - | 0 | Detalles |
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ZXMP6A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V DPAK | - | 5000 | Detalles |
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ZXMP6A17DN8TA | Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8-SOIC | - | 4500 | Detalles |
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ZXMP6A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 | - | 6000 | Detalles |
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ZXMP6A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6 | - | 63000 | Detalles |