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| Número de pieza | ZXMP4A57E6TA |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 40V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.9A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 15.8nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 833pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1.1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80 mOhm @ 4A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-26 |
| Paquete / caja | SOT-23-6 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ZXMP10A13FQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
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ZXMP10A13FTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 0.6A SOT23-3 | - | 0 | Detalles |
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ZXMP10A16KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3A DPAK | - | 10000 | Detalles |
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ZXMP10A17E6QTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | - | 3000 | Detalles |
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ZXMP10A17E6TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT23-6 | - | 21000 | Detalles |
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ZXMP10A17GQTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V SOT223 | - | 1000 | Detalles |
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ZXMP10A17GQTC | Diodes Incorporated | MOSFET PCH 100V 1.7A SOT223 | - | 0 | Detalles |
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ZXMP10A17GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223 | - | 0 | Detalles |
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ZXMP10A17KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.4A DPAK | - | 2500 | Detalles |
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ZXMP10A18GTA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 2.6A SOT223 | - | 27000 | Detalles |
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ZXMP10A18K | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | - | 0 | Detalles |
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ZXMP10A18KTC | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 100V 3.8A DPAK | - | 80000 | Detalles |