ZXMC6A09DN8TA

MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
ZXMC6A09DN8TA P1
ZXMC6A09DN8TA P1
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Diodes Incorporated ~ ZXMC6A09DN8TA

Número de pieza
ZXMC6A09DN8TA
Fabricante
Diodes Incorporated
Descripción
MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Arreglos
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Número de pieza ZXMC6A09DN8TA
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N and P-Channel
Característica FET Logic Level Gate
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 3.9A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 24.2nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1407pF @ 40V
Potencia - Max 1.8W
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivo del proveedor 8-SOP

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